Компания International Rectifier - мировой лидер в технологии управления питанием и общепризнанный производитель силовых электронных компонентов - анонсировала новый DirectFET® MOSFET IRF6718 с самым низким сопротивлением открытого канала RDS(on). Новое 25-вольтовое устройство оптимизировано для таких применений как DC-переключатели типа: активный O-Ring (силовая схема ИЛИ соединения источников питания),
Hot Swap (горячая замена без отключения электропитания и прекращения работы),
E-Fuse (электронный предохранитель).
Особенностью IRF6718 является корпусирование кристалла кремния по технологии последнего поколения в новом большом корпусе Large Can DirectFET.
Данная технология позволила получить чрезвычайно низкое значение сопротивления открытого канала RDS(on) - 0,5 мОм (типовое значение при напряжении 10 В) и уменьшить на 60% место на печатной плате и на 85% высоту корпуса по сравнению с D2PAK.
Новая технология корпусирования кристалла позволяет изготавливать DirectFET-транзисторы со значительным уменьшением потери проводимости, ввиду того, что отсутствует разварка кристалла и нет пластмассового корпуса, достигается максимальное соотношение «площадь кристалла» / «площадь корпуса» и значительно улучшается тепловая эффективность всей системы.
IRF6718 - первое устройство International Rectifier выполненное в большом корпусе Large Can DirectFET со значительно сниженным значением RDS(on) по сравнению с устройствами других производителей, позволяющим обеспечить превосходную тепловую рабочую эффективность и высокую плотность DC/DC-устройств с сокращением места на печатной плате.
IRF6718 имеет улучшенную область безопасной работы (SOA - Safe Operating Area) с возможностью Hot Swap и E-Fuse. Устройство соответствует нормам RoHS.
